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高通快充放大招，QC3.0采用新的算法電壓智能協(xié)商（INOV）算法

2015-12-26 14:56:00; admin
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摘要：第三代快速充電技術(shù)Qualcomm? Quick Charge? 3.0，借助INOV算法，Quick Charge 3.0可實現(xiàn)比2.0最高達(dá)38%的效率提升

　　高通子公司Qualcomm Technologies Inc.今日宣布，已推出第三代快速充電技術(shù)Qualcomm® Quick Charge? 3.0。作為快速充電技術(shù)的新產(chǎn)品產(chǎn)品，Quick Charge 3.0在同類產(chǎn)品中首次采用電壓智能協(xié)商（INOV）算法。

INOV是由Qualcomm Technologies開發(fā)的全新算法，旨在幫助便攜設(shè)備具備選定所需功率電平的能力，實現(xiàn)最佳功率傳輸，Quick Charge 3.0能在大約35分鐘內(nèi)將一部常規(guī)手機(jī)從零電量充電至80%，而不具備Quick Charge的設(shè)備通常需要大致一個半小時的時間。

借助INOV算法，Quick Charge 3.0可實現(xiàn)比2.0最高達(dá)38%的效率提升，同時還優(yōu)化保護(hù)電池壽命周期。此外，當(dāng)與Qualcomm Technologies最新的并聯(lián)充電配置一起使用時，Quick Charge 3.0還可以實現(xiàn)減少高達(dá)45%功率損耗，實現(xiàn)了比Quick Charge 1.0快2倍的充電速度。

Quick Charge 3.0現(xiàn)已正式推出，并將在部分Qualcomm® 驍龍?處理器中以選配形式提供，包括驍龍820、620、618、617和430處理器；搭載這一技術(shù)的移動終端預(yù)計將于明年上市。相比于2.0提供的5V、9V、12V和20V四檔充電電壓，Quick Charge 3.0則以200mV增量為一檔，提供從3.6V到20V電壓的靈活選擇，從而最小化電量損失、提高充電效率并改善熱表現(xiàn)。